>
Anasayfa > Makaleler > DDR4 Bellek Teknolojisi

DDR4 Bellek Teknolojisi

Kurumsal sistemlerin iş yükünü daha yüksek bant genişliği ve düşük güç tüketimine sahip bellekler ile karşılayın.

Samsung DDR4Günümüzde giderek artan bulut bilişim, sanallaştırma ve yüksek performanslı bilgisayar (HPC) kullanımı; sunucu sistemlerinde yüksek kapasiteli ve yüksek performanslı bellek ihtiyacının artmasına neden olmuştur. Sanallaştırma ortamları işletmelere çok sayıda sunucu sistemi yerine tek bir sistemde çok sayıda sunucu çalıştırmayı sağlar. Çok sayıda sanal sunucu içeren tek bir sunucu sadece yüksek hızlı işlemciye değil aynı zamanda yüksek kapasiteli belleğe de ihtiyaç duyar.

Sunucu sistemlerin bellek ihtiyaçları kullanım yerine göre farklılık gösterir. Kritik görevlerde kullanılan sunucuların bellek ihtiyacı, standart işlemlerde kullanılan sunucuların ihtiyaçlarından farklıdır. Üst seviye sunucularda çalışan kurumsal seviye görevlerde; örneğin veritabanı erişimi ya da ödeme işlemleri, yüksek bellek kapasitesi ve güvenilirliğe ihtiyaç duyulur. Sanallaştırma ya da birleştirme için kullanılan orta seviye sunucularda ise yüksek bant genişliği ve ölçeklenebilirliğe ihtiyaç duyulur. Küçük boyutlar, düşük güç tüketimi ve düşük maliyet ise web ya da altyapı işlemlerinde kullanılan sunucular için gerekli özelliklerdir.

Samsung DDR4 SDRAM

Kurumsal uygulamalara yönelik bellek çözümleri

Samsung DDR4, yüksek sanallaştırma ortamları, yüksek performanslı bilgisayarlar be ağ sistemleri için en uygun bellek çözümleridir.  Samsung DDR4 bellek modülleri, önceki bellek teknolojilerinden daha yüksek performans ve daha düşük güç tüketimi sunabilmeleri için yeni sistem devre mimarileri ile tasarlanmışlardır.

Samsung DDR4-tabanlı ürün ailesi 20nm-class süreç teknolojisi ile üretilen;  RDIMM(registered dual inline memory modules) ve  LRDIMMs (load-reduced DIMMs) bellekleri içermektedir. Bu bellek modülleri JEDEC tarafından tanımlanmış olan,2400Mbps değerinden başlayan ve  3200Mbps değerine kadar hızlar sunar. .
DDR4 ürün ailesi içerisinde aşağıdaki modül çözümleri mevcuttur:

  • 8 GB DDR4 RDIMM bellekler
  • 16 GB DDR4 RDIMM bellekler
  • 32 GB DDR4 RDIMM/LRDIMM bellekler
  • 64 GB DDR4 RDIMM/LRDIMM bellekler
  • 128 GB DDR4 RDIMM bellekler

İkiye katlanan bant genişliği, çok daha düşük güç ihtiyacı ve güç tüketimi ile birlikte performansı arttırırken sahip olma maliyetini de düşürmektedir. Samsung DDR belleklerin geliştirilmiş güvenirliği, işlerliği, gelişmiş sinyal bütünlüğü ve güvenilirlik sunar.samsung_ddr4_n2

Samsung DDR4 bellekler; 1600-3200Mbps değerleri arasında geniş bir aralıkta çalışır. Bu değerler mevcut DDR3 800-1600Mbps  hızlarının 2 katını sunarak yüksek performanslı bilgi işleme süreçlerine çözümler sunar. Samsung DDR4 bellekler ayrıca DDR3 tarafından sunulan 8 bank yerine 16 bank sunarak DDR3’e göre %16 daha yüksek performans sağlar.

Ayrıca DDR4 kullanan platformlar, DDR3 kullanan bir önceki nesil platformlara göre %50 daha fazla çekirdeğe sahip işlemcilere sahiptirler. Samsung DDR4’ün platform seviyesinde faydaları sayesinde CPU’dan CPU’ya iletişimin arttırılması sağlanarak DDR3’e göre 2 kata kadar vektör işlem hızı elde edilir.

samsung_ddr4_n6
Artan performans ve yüksek bantgenişliği

3.2Gbps değerine ulaşan bant genişliği değerleri ile DDR4 bellekler, DDR2 ve DDR3 belleklerden daha yüksek hız ve performans sunarlar.

DDR3L (low power DDR3) ile kıyaslandığında Samsung DDR bellekler yine belirgin performans artışı sunmaktadır. Her bir kanaldaki 1 modül başına %40’dan daha fazla performans artışı sunulmaktadır.

samsung_ddr4_n3

Daha çevreci ve düşük maliyetli işlemler için daha düşük güç tüketimi

Voltaj ve I/O güç verimliliğinde yapılan geliştirmeler ile DDR4 bellekler maliyetlerde belirgin bir düşüşe sebep olur. Samsung tarafından yapılan testlerde DDR4 1.2V değerinde çalışma gerilimine ihtiyaç duymaktadır. Bu da DDR3L’nin 1.35V değerinden %11 daha düşüktür.

Veri aktarımında DDR3L gibi ürünlerde daha önce kullanılan SSTL (Stub Series Terminated Logic) yerine  POD (Pseudo Open Drain) kullanılması ile güç tüketimi %50 oranında azaltılmıştır. Bütün olarak Samsung DDR4, DDR3L’ye göre %20 daha yüksek performans/watt seviyesi sunarlar.

samsung_ddr4_n4

 

 

 

 

 

 

 

 

Provide Daha yüksek Güvenilirlik(Reliability) Kullanılabilrilik (Availability) ve Hizmet Verilebilirlik (Serviceability) -RAS

DDR3 modüller sadece bir RAS özelliği sunarlar, hata düzeltme yeteneği (error-correcting code (ECC). DDR3 ile kıyaslandığında Samsung DDR4 daha  güçlü RAS özellikleri sunar; Cyclic Redundancy Check (CRC), Parity, Per DRAM Addressability ve Gear Down Mode.

Geliştirilmiş güvenilirlik ve görev kritik kurumsal uygulamalar için arttırılmış S/I değerleri ile Samsung DDR4’ün aşağıdaki RAS özelliklerinde belirgin geliştirmeler sunulur:

1. Cyclic Redundancy Check (CRC), gelişmiş veri güvenilirliği

CRC, DRAM DQ değerinde oluşacak beklenmedik hataları denetleyen hata kontrol kodudur. CRC veri aktarımı esnasında oluşabilecek 1 bit ya da 2 bit hataların %100 oranında tespit edilmesini sağlar.

2. On-chip parity detection, Command/Address bütünlüğü

Parity for Command/Address (CMD/ADD), işlevi ile komut ve adres aktarımlarının bir bağlantı üzerinden bütünlük içerisinde aktarılmasını sağlayan bir yöntemdir.

3. Per DRAM Addressability, arttırılmış sinyal bütünlüğü

Samsung DDR4,  Vref seviyesinin ODT’sini denetleyerek modül bileşenlerini kontrol edebilir ve sinyal bütünlüğünün artmasını sağlar.

4. Gear Down Mode, geliştirilmiş sinyal bütünlüğü

DDR4 Gear Down Mode ile CMD/ADD yüksek hızı azaltılarak, DQ (data bus) yüksek hızının korunması sağlanır.

samsung_ddr4_n5

Samsung DDR4 yüksek sunucu güvenilirliği sağlamak için Post Package Repair (PPR) işlevi sunmaktadır. Anti-fuse teknolojisi ile sistemi kapatıp açmaya gerek kalmadan DRAM üzerindeki hatalı hücrelerin hatasız hücreler ile değiştirilmesini sağlar. Single bit ve single row hatalarını düzelterek sahada gerçekleşen işlevsel hataların %51 oranında azaltılmasını sağlar.

samsung_ddr4_n8

Samsung DDR4 modüllerin temas noktalarında yapılan adımlama (stepping) yöntemi ile mekanik olarak güvenilirlik arttırılmıştır.  Bu yöntem ile modülün yuvaya takılması için gereken güç %20 oranında düşürülmüş ve modül takılırken yaşanabilecek bükülme, kayma sonucu oluşabilecek fiziksel hasar ihtimali azaltılmıştır.

samsung_ddr4_n9

 Kurumsal iş yüklerini daha yüksek güvenilirlik, ikiye katlanan bant genişliği ve düşük güç tüketimi ile yönetin.
Gelişmiş sistem devre mimarisi ile tasarlanan Samsung DDR4 bellekler sundukları yüksek performans, düşük güç tüketimi ve arttırılmış güvenilirlik özellikleri ile bir çok sunucu türü için çözüm sunmaktadır. Samsung DDR4 belleklerin gelişmiş özelliklerinin avantajlarına sahip olan firmalar daha düşük sahip olma maliyeti ile daha yüksek performansa sahip olabilecek.

samsung_ddr4_p2

DDR3 ve DDR4 Karşılaştırması

Özellik DDR3 DDR4
Bileşen Yoğunluğu ve Hız 512 Mb – 4 Gb, 0.8 – 2.1 Gbps 4 Gb – 16 Gb, 1.6 – 3.2 Gbps
Modül Kapasitesi 1, 2, 4, 8, 16, 32 ve 64 GB 8, 16, 32, 64, 128 ve 128 GB
Arayüz Voltage (VDD, VDDQ, VPP) 1.5V, 1.5V, NA (1.35V, 1.35V, NA) 1.2 V, 1.2 V, 2.5 V
Vref External Vref (VDD, 2) Internal Vref (need training)
Data I/O Center Tab Termination (CTT) (34 ohm) POD (34 ohm)
CMD, ADDR I/O CTT CTT
Strobe Bi-dir, diff Bi-dir, diff
Çekirdek
Mimarisi
Bank Sayısı 8 Bank 16 Bank (4-bank grubu)
Page boyutu (X4, 8, 16) 1 KB,1 KB, 2 KB 512 B, 1 KB, 2 KB
Ön bellekleme değeri 8 bit 8 bit
Ek Özellikler RESET, ZQ, Dynamic ODT RESET, ZQ, Dynamic ODT, CRC,
Data Bus Inversion (DBI), Multiple preamble
Fiziksel Paket Tipi, Lballs (X4, 8, X16) 78, 96 BGA 78, 96 BGA
DIMM tipi R, LR, U, SO-DIMM R, 3DS R, LR, (ECC/nECC) U/SO-DIMM
DIMM pin sayısı 240 (R, LR, U), 204 (So) 288 (R, LR, U), 260 (So)

Kaynak: Samsung –  PDF

Top