Menü Kapat

DDR4 Bellekler Kapıda, Nanya’dan DDR4 Bellek Örnekleri

JEDEC’in DDR4 SDRAM bellek standartlarını belirlemesinde sona yaklaşılırken bellek endüstrisin önemli isimlerinden Nanya Technology Corp. 30nm 4Gb DDR4 yongaları örneklerini hazırladığını duyurdu. 2012’nin ikinci çeyreğinde hazırlıkları yapılan ve inceleme ve onay için gönderilen yongaların onayının ardından; sunucu uygulamalarına yönelik üst düzey DDR4 RDIMM/LRDIMM örneklerinin de üçüncü çeyrekte onaylanması bekleniyor. Yeni nesil DDR4 ürünlerin ilk üretiminin 2013 yılında başlayacağı öngörülüyor.

Nanya DDR4 SDRAM bellekler, Micron Technology işbirliği ile üretiliyor. 1.2 Volt güç tüketimi ve 1866MHz – 3200MHz aralığındaki bant genişliği ile DDR4 bellekler DDR3 belleklere gore daha düşük güç tüketimi ve daha yüksek hız değerleri sunuyor. DDR4 SDRAM bellekler sahip oldukları bu özellikler sayesinde son kullanıcı ve kurumsal pazarın ihtiyaçlarına çözüm olacak. Ayrıca Nanya’nın geliştirdiği TSV teknolojisi sayesinde DDR4 LRDIMM bellek modülleri 64 ve 128GB kapasite değerlerine ulaşabilecek. Üst düzey sunucu pazarını hedefleyen Nanya, yüksek performans ve düşük güç teketimini bir arada sunan yüksek katma değerli çözümleri ile kullanıcıların giderek artan ihtiyaçlarına çözüm sunmayı amaçlıyor.

Nanya hakkında

Formosa Plastics Group şirketi olan Nanya Technology Corporation, gelişmiş bellek teknolojisi alanında önde gelen şirketlerdendir. DRAM ürünlerinin araştırması, geliştirilmesi, tasarımı , üretim ve dağıtımına odaklanmıştır. ABD, Avrupa, Japonya ve Çin’de bölge ofisleri bulunmaktadır. Daima ayrıcalıklı ürünler sunan Nanya, katma değerli DRAM pazarında büyümeyi hedeflemektedir. Tayvan Borsası’nda (TSEC) 2408 sembolu ile işlem görmekte olan   Nanya Technology Corp. Tayvan’da 300mm üretim tesislerine sahiptir.  2012 yılı içerisinde 30nm stack süreç teknolojisi ile üretim gerçekleştirmeye başlamıştır. Nanya’nın ayrıca yine Tayvan’da Inotera Memories, Inc. ile  proje ortaklığı  2 adet 300mm tesisi de mevcuttur. Detaylı bilgi için http://www.nanya.com.