Samsung’un Yeni DRAM Çözümü, Yüksek Kapasiteli Bellek Uygulamaları için TSV Teknolojisini Kullanacağını Gösteriyor
Gelişmiş bellek teknolojilerinde dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd., endüstrinin ilk 128GB DDR4 modüllerin seri üretiminme başladığını duyurdu. TSV – through silicon via teknolojisi ile üretilen DDR4 bellekler ile kurumsal sunucu ve veri merkezleri için yüksek kapasiteli çözümler hedefleniyor.
Samsung’un yeni TSV DRAM modülleri günümüzdeki tüm modüllerden,yüksek hız ve güvenilirlik ile birlikte, daha yüksek kapasite ve enerji verimliği de sunuyor. Samsung’un 2014 yılında 64GB (3D TSV DDR4 DRAM) modülünü duyurmuştu. Yeni TSV Registered DIMM bellekler kurumsal seviye uygulamalar için çok yüksek bellek kapasitesinin sunulacağı yeni bir dönemin kapılarını açıyor.
128GB TSV DDR4 RDIMM bellek modülü, 36 adet 4GB DRAM halinde paketlenmiş toplam 144 adet DDR4 yongasına sahip. Her bir paket; TSV paketleme teknolojisi ile bir araya getirilmiş 4 adet 20-nanometre tabanlı 8-gigabit (Gb) yonga içeriyor.
Samsung’un gelişmiş 128GB TSV DDR4 RDIMM bellekleri, yeni nesil sunucular için 2400Mbps’ye ulaşan hızlar ile mevcut teknolojiler ile üretilen ve kapasite ve hız sınırlamaları olan önceki nesil DRAM modüllere (64GB LRDIMM) göre iki kata yakın hız ve %50 daha düşük güç tüketimi sunuyor.
Samsung, yüksek performanslı TSV DRAM çalışmaları ile teknolojideki liderliğini sürdürmeye devam edeceğini belirtiyor. Yakın gelecekte 2,667Mbps ve 3,200Mbps modülleri duyurarak kurumsal sunuculara yönelik çözümlerin yanı sıra yüksek bant genişliği sunan bellekler (HBM) ve tüketici çözümleri sunmayı sürdürecek.
Kaynak : Samsung