Sistem Üreticilerinin rekabette başarılarının en büyük yardımcılarından biri doğru bellek seçimidir. Samsung;sahip olduğu gelişmiş DRAM teknolojileri ile sunduğu DDR2, DDR3 ve DDR4 yongalar ile üretici ve tasarımcılara geniş olanaklar ve başarı sunmaktadır. Mevcut en hızlı ve yüksek başarımlı DDR3 çözümleri ile çift-kanal, 128-bit bellekler ile 25.6GB/s değerine ulaşan başarım elde etmek mümkündür.
| Ürün Ailesi | Ürün Kodu |
| 512MDDR2 | K4T51163QJ-BCE7TDT |
| 1GDDR2 | K4T1G084QF-BCF8T00 |
| K4T1G164QF-BCF8T00 | |
| 1GDDR3 | K4B1G1646G-BCK0T00 |
| 2GDDR3 | K4B2G1646E-BCK0TDT |
| 4GDDR3 | K4B4G1646B-HCK0T00 |
| 1GNDFLASH | K9F1G08U0D-SCB0T00 |
| 4GNDFLASH | K9F4G08U0D-SCB0T00 |
| DDR | DDR2 | DDR3 | DDR4 | |
|---|---|---|---|---|
| Data rate | 200 ilâ 400Mb/s | 400 ilâ 800Mb/s | 800 ilâ 1,866Mb/s | 1,600 ilâ 3,200Mb/s |
| VDD/VDDQ | 2.5V ± 0.2V | 1.8V ± 0.1V 1.55V ± 0.1V |
1.5V (1.425V-1.575V) 1.35V (1.28V-1.45V) 1.25V (1.19V-1.31V) |
1.2V (1.14V-1.26V) |
| Paket Tipi | 66-ball TSOP2 60-ball BGA |
60-ball BGA : x4/x8 84-ball BGA : x16 |
78-ball BGA : x4/x8 96-ball BGA : x16 |
78-ball BGA : x4/x8 96-ball BGA : x16 |
| Source sync | Bidirectional DQS (single-ended default) |
Bidirectional DQS (single-ended/differential option) |
Bidirectional DQS (differential default) |
Bidirectional DQS (differential default) |
| Burst length | 2, 4, 8 (2 bits prefetch) |
4, 8 (4 bits prefetch |
BC4, BL = 8 (8 bits prefetch) |
BC4, BL = 8 (8 bits prefetch) |
| Bank Sayısı | 4 bank | 512Mb: 4 bank 1Gb: 8 bank |
1Gb/2Gb/4Gb/8Gb: 8 bank |
4Gb/8Gb/16Gb: 16 bank |
| Reset | Yok | Yok | Var | Var |
| ODT | Yok | Var | Var | Var |
| Sürücü Kalibrasyonu | Yok | Offchip | Self-calibration with ZQ pin |
Self-calibration with ZQ pin |
| Modül Tip | R-DIMM U-DIMM SoDIMM |
FB-DIMM R-DIMM VLP R-DIMM U-DIMM SoDIMM |
LRDIMM R-DIMM VLP R-DIMM U-DIMM SoDIMM |
LRDIMM R-DIMM U-DIMM SoDIMM |
| Yoğunluk | 1/2/4/8GB | 1/2/4/8GB | 1/2/4/8/16/32GB | 4/8/16/32/64/128GB |